gatelast技術

2010年7月22日—不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺，制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量，而且由于 ...,2015年11月4日—Gate-last在功耗控制能力上比較優秀，但是製程工序比較複雜，但複雜的工序可以靠燃燒新鮮肝臟解決，Vt臨界電壓必須透過材料的調配、精確的熱處理與蝕刻 ...,2017年4月18日—IBM的Gate-First太爛，我擁護的Gate-Last才是真理！也讓後續台積...

參考資訊如下
Gate-first还是Gate

2010年7月22日 — 不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺，制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量，而且由于 ...

Foundry 製程戰爭系列－ 二、三線晶圓廠的掙扎

2015年11月4日 — Gate-last 在功耗控制能力上比較優秀，但是製程工序比較複雜，但複雜的工序可以靠燃燒新鮮肝臟解決，Vt 臨界電壓必須透過材料的調配、精確的熱處理與蝕刻 ...

【晶圓代工爭霸戰】台積電與三星的愛恨糾葛

2017年4月18日 — IBM 的Gate-First 太爛，我擁護的Gate-Last 才是真理！也讓後續台積電和三星紛紛從Gate-First 轉向Gate-Last 技術後，彼此在14 與16 奈米上繼續互搏。

台积电：28nm制程节点将转向Gate-last工艺

Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极；与此相对的是Gate- ...

Gate Last製程

2010年4月28日 — 過去台積電傾向於Gate First技術，近期倒戈至Gate Last。蔣尚義說，Gate Last技術並不比Gate First成本為貴，但技術難度相對較高，一旦經歷過學習曲線 ...

GAAFET為何在3nm節點輸給FinFET？

2022年3月25日 — 這個時間節點之下的關鍵技術熱點便是GAAFET (和chiplet)。但台積電和Intel仍將在 ... 最後，透過沉積高介電常數(high-k)的介電與金屬gate材料來構成gate。

押對Gate-Last技術台積吃蘋果訂單勝算激增

2012年10月8日 — 據了解，後閘極與前閘極係實現HKMG結構電晶體的兩大技術流派，差別在於安排矽晶片漏/源區離子注入、高溫退火和金屬閘極形成等步驟的先後順序。

28奈米製程

此外，台積公司領先全球的28奈米製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘 ...

新聞室

2009年12月10日 — 除了擁有此次新提出的混合型技術之外，自從業界採用Gate-last 技術量產CPU 之後，聯華電子也一直致力於Gate-last 技術之開發。聯華電子的先進製程開發 ...

台積電28nm製程節點轉向Gate

2011年12月19日 — 去年夏季，一直走Gate-first Technology路線的台積電公司忽然作了一個驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結構製程技術中採用Gate-last Technology。不過 ...